《熱門族群》輝達電源革命 功率元件火爆
2025/07/04 08:21
【時報-台北電】隨著AI算力需求暴增，資料中心電力架構正迎來十年最大升級，輝達領軍的
800V高壓直流（HVDC）技術，預計2027年全面導入兆瓦級AI機櫃，將牽動第三代半導體代工
版圖重組。台積電（2330）日前宣布兩年內逐步退出氮化鎵（GaN）市場，其大客戶納微半導
體（Navitas）急尋新來源，多方角力下，台系功率元件、電源管理晶片產業鏈將迎新競爭格
局。
將外部工業用交流電轉換為800V直流電，可使相同尺寸導線傳輸功率增加85％；相較於傳
統架構，輝達800V HVDC，主要差異在於多一道800V直流電降壓至54V直流電的程序，法人分
析，該架構需使用高規的耐高壓PMIC（電源管理IC），但在個別Compute Tray則沿用原先中
低壓PMIC即可。
未來Compute Tray中的Power IC需求將提升，如記憶體電壓必須由54伏轉到12伏。儘管目
前為海外業者如英飛凌、MPS的天下，但台廠致新（8081）、茂達（6138）持續搶攻，從一般
型伺服器入局，有望搶占相關商機。
另外，HVDC架構是輝達與Navitas策略合作，由Navitas提供氮化鎵（GaN）與碳化矽技術，
然而近期台積電卻表示將逐步退出GaN業務；相關業者透露，由於GaN仍有安全性的疑慮，是
否應用於資料中心仍是未知數。
外界推測，由於晶圓代工業者是在矽基襯底上利用GaN外延製程（GaN on Si）製造，然而
兩種材料在晶體結構及熱膨脹係數皆不太匹配、遇高壓易被擊穿。而之所以不直接使用GaN襯
底，是因目前主流僅發展到6吋、然成本特別高，另一方面是7成的原材料如鋁土礦或閃鋅礦
產能掌握在中國大陸業者手中。
半導體業界指出，台積電持續進行產能最佳化，今年以來將老廠人力調往先進封裝支援，
因此在部分成熟、特殊製程節點會進行取捨，使其他晶圓代工業者如力積電（6770）有機可
乘。
同理，海外PMIC大廠也會根據客戶需求，調整自身產品組合，使台系供應鏈有機會打入Ti
er 1客戶；儘管短期未見明顯業績挹注，但只要依循正確產業方向投入研發，終將有機會大
放異彩。(新聞來源 : 工商時報一張珈睿／台北報導)
