《半導體》DRAM雙雄逢高遭調節 外資關注下半年動能
2025/06/16 16:57
【時報記者葉時安台北報導】DRAM受惠DDR4 EOL(停產)以及AI拉動HBM，迎接此波漲勢，不過
近日DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)股價呈現高檔震盪，周一雙雙翻黑收跌，其中南
亞科一度衝上55.7元之十個月以來新高價後翻臉，南亞科遭外資單日賣超達1.1萬張，華邦電
亦連兩天賣超，但近5天外資操作上仍屬偏多，洞悉外資看法，美系外資評估，AI動能再度點
燃，加上記憶體產品平均價格強勁，將帶動更高獲利表現，不過股價偏高情況下，外資態度
將等待回檔，對SK海力士hynix、美光Micron、南亞科保持中性評價，短期繼續看好三星Sam
sung、江波龍(Longsys)。
近期AI題材重新點燃，導致記憶體市場出現分歧，AI受惠者如SK海力士、美光，與三星以
及落後的NAND產品。在HBM方面，SK海力士在AI主題上成為更便宜的選擇，從投資組合建設的
角度來看，沒有對其單一股票的限制，外資看法仍屬積極態度。但綜觀整個記憶體產業，仍
須留意下半年成長動能。
第二季即將結束，回顧單季，價格表現優於市場預期，其中DRAM上漲5-10%、NAND較上季上
漲6%，主要是因為DDR4供給將EOL(停產)，客戶則在積極囤貨，使得DDR4價格狂漲，甚至罕見
超過DDR5。而HBM的長期上升潛力明顯，但留意後續產業供應過剩問題以及2026年可能面臨三
星加入戰局，競爭力道提高，關注高利潤的延續力。
外資認為，雖然記憶體股價處於漲多修正，但各大廠商今年財報將不俗，提高SK海力士的
獲利數據，上修DRAM(含HBM)的平均價格，將在第三季持續上漲，尤其為HBM3e 12-hi的出貨
量、價格助力，但短期內缺乏HBM競爭，故降低三星今年獲利預估值。外資進一步提到，短期
記憶體廠商股價漲多，留意落後個股估值，且整體DRAM市場周期尚未明確看漲評價，關注下
半年動能，不過HBM4競爭激烈，看好明年下半年前景更加積極。
