《科技》AI拱HBM需求升溫 三大記憶體廠SOCAMM新戰場
2025/06/16 10:28
【時報記者葉時安台北報導】DIGITIMES觀察，隨AI應用快速成長，推升高頻寬記憶體(HBM)
與新型記憶體模組需求，全球三大記憶體廠商間的競爭格局正出現顯著變化，尤其SK海力士
今年首季營收首度超越三星電子，改寫長年以來由三星領先的市場格局。除了次世代HBM技術
競爭升溫，未來更將擴展至小型壓縮附加記憶體模組(Small Outline Compression Attache
d Memory Module，SOCAMM)等新產品，將成為三大記憶體業者的新戰場。然地緣政治風險與
政策變動也同步成為影響業者全球布局的關鍵因素。
受惠AI推動，HBM需求強勁，帶動SK海力士(SK Hynix)營業利益率持續改善，並於2025年第
一季在DRAM營收上首度超越三星電子(Samsung Electronics)，改寫長年以來由三星領先的市
場格局，凸顯AI對記憶體市場競爭重塑的影響力。
隨著固態技術協會(JEDEC)釋出HBM4標準，三大業者的技術競爭將延續至下一世代。未來H
BM將須與邏輯晶片(logic die)進行整合，需與晶圓代工夥伴密切協作。SK海力士與美光(Mi
cron)預計持續與台積電(2330)合作；三星則傾向採一站式解決方案，並以先進製程與新封裝
技術因應市場需求，惟其量產良率與技術驗證仍具挑戰。
除HBM外，業者亦積極開發SOCAMM等高效能記憶體模組，以支援AI運算。美光已率先量產S
OCAMM，SK海力士則處於樣品階段，由於SOCAMM可能搭載於NVIDIA下世代雲端AI伺服器晶片，
因此將成為三大記憶體業者的新戰場。
技術以外，地緣政治風險成為記憶體產業重大變數。美光因應美國政策積極擴張本土產能
，預估未來美國境內產製DRAM將占其整體產能約四成；SK海力士亦計畫於美國設立HBM封裝廠
。雖三星目前未在美國設有記憶體生產基地，其位於德州的新建晶圓代工廠仍具導入相關產
線的潛力。
DIGITIMES認為，記憶體作為AI運算不可或缺的核心元件，美國政策導向與在地化趨勢，將
是三大業者無法迴避的重要課題。
