《科技》美光HBM4送樣 明年量產續攻AI
【時報記者葉時安台北報導】美光周四宣布已將其12層堆疊36GB HBM4送樣給多家主要客戶。
隨著資料中心對AI訓練與推論工作負載需求持續升溫,高效能記憶體的重要性達到歷史新高
。此一里程碑再次擴大美光在AI記憶體效能和能源效率方面的地位,憑藉其成熟的1-beta D
RAM製程、備經驗證的12層先進封裝技術及功能強大的記憶體內建自我測試(MBIST)功能,美
光HBM4為開發下一代AI平台的客戶和合作夥伴提供無縫整合的解決方案。美光HBM4預計將於
2026年量產,以配合客戶下一代AI平台的擴產進度。
隨著生成式AI應用不斷成長,有效管理推論能力的重要性與日俱增。美光HBM4記憶體具有
2048位元介面,每個記憶體堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s,效能較前一代產品提升逾60%。這
樣的擴展介面有助於實現高速通訊和高吞吐量設計,進而提高大型語言模型和思路鏈推理系
統的推論效能。簡而言之,HBM4將使AI加速器具備更快的反應速度與更高效的推理能力。
在生成式AI應用場景不斷增加之際,此顛覆性技術可望為整體社會帶來可觀效益。HBM4是
能加速洞察與創新突破的關鍵推動力,從而促進醫療保健、金融和交通運輸等不同領域的進
步與變革。美光科技資深副總裁暨雲端記憶體事業部門總經理Raj Narasimhan表示,美光HB
M4具備卓越的效能、更高的頻寬,在HBM3E所創下的重大里程碑基礎上,將繼續透過HBM4及強
大的AI記憶體和儲存解決方案組合引領創新。美光HBM4生產時程與客戶下一代AI平台的準備
進度緊密銜接,以確保無縫整合與適時擴大產量,滿足市場需求。