《科技》英特爾揭晶圓代工製程藍圖 18A-P進風險量產
2026/06/18 11:45
【時報記者林資傑台北報導】英特爾（Intel）在2026年VLSI研討會中，公布英特爾晶圓代工
（Intel Foundry）最新製程藍圖與長期投資進展，並宣布Intel 18A家族首款效能強化版本
Intel 18A-P已正式進入風險量產（Risk Production）階段，依2025年向客戶及合作夥伴公
布的時程順利推進。
英特爾表示，18A-P是18A家族首款強化版本，透過電晶體、互連與設計協同最佳化（DTCO
），持續提升效能與能效，強化先進製程競爭力。相較於18A製程，18A-P在相同功耗下效能
最高提升9％，在相同性能下功耗最高降低18％，並有更優異的散熱能力與設計彈性。
英特爾18A-P導入Power Boost技術，採全新雙接點與低電阻電晶體設計，在相同電容下可
提升驅動電流與運作頻率。透過材料、幾何結構與設計創新，散熱效能提升20～40％、層間
垂直互連通孔（Via）電阻降低10～30％，提升訊號傳輸效率。
同時，英特爾18A-P與18A設計規則完全相容，可直接沿用既有IP與設計流程，加速產品開
發。英特爾執行副總裁暨英特爾晶圓代工總經理Naga Chandrasekaran表示，英特爾仍有許多
工作需持續推進，但很高興能分享Intel 18A-P及更長期研發計畫的重要進展。
英特爾去年在Intel 18A製程導入環繞式閘極（GAA）電晶體與背面供電技術，並在今年VL
SI研討會中分享2項核心技術優勢。相較傳統正面供電互連架構，新技術可減少11％佈線面積
，並將動態電壓驟減達10％，實現動態功耗降低逾15％或頻率最高提升6％。
核心實測方面，英特爾指出，採用上述技術後，在約0.5V低電壓環境下，運作頻率可提升
30％、並降低供電電壓損失、提升整體運作效率。同時，也展示互補式場效電晶體（CFET）
、氮化鎵（GaN）整合電源管理、減材釕互連等長期研發成果。
