《科技》imec推進High-NA EUV 化學放大阻劑攻進22奈米
2026/09/18 15:12
【時報記者林資傑台北報導】比利時微電子研究中心（imec）攜手艾司摩爾（ASML）及材料
供應商，推進化學放大阻劑（CAR）在High-NA EUV微影的應用，首度以單次曝光實現22奈米
導線／間距圖形、完成28奈米中心間距通孔等窄間距邏輯結構，可望支援14、10埃米邏輯節
點部分關鍵元件層。
imec表示，高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）主要因應AI、高效運算（HPC）對更高運
算密度的需求，依最新邏輯技術藍圖，High-NA EUV預計導入14、10埃米節點，關鍵在持續縮
小間距之際，仍維持高可靠度圖形化性能。
此次成果延續imec於2026年IEEE國際內連技術會議（IITC）公布的初步電性測試結果，驗
證CAR搭配High-NA EUV單次圖形化，可製作28奈米間距金屬線結構，突破過去對CAR微縮能力
認知，並在1.8公尺的金屬化電性測試結構取得具發展潛力的組合良率。
在2026年SPIE光罩技術暨極紫外光微影會議中，imec進一步展示CAR延伸應用成果，經Hig
h-NA EUV單次曝光後，實現22奈米導線／間距圖形，並於最小間距22奈米的蛇型及叉型電性
測試結構展現良好圖形保真度，為窄間距邏輯金屬導線及通孔應用奠定基礎。
相關成果涵蓋先進製程設計的多種關鍵結構，包括圖形端到端間距26奈米的24奈米SRAM布
局、端到端間距28奈米的24奈米布局布線，以及28奈米中心間距的隨機邏輯通孔。這些技術
可望支援14、10埃米部分元件層單次圖形化，包括第二金屬層、通孔層及金屬擴散層。
imec圖形化技術研究計畫研發副總Geert Vandenberghe表示，此次成果證明CAR技術具備持
續微縮的可擴充性，突破過去0.33 NA EUV單次圖形化的間距限制。CAR已是半導體業沿用數
十年的成熟技術，具備穩定性及可製造性，在High-NA EUV時代仍具應用價值。
imec強調，此次突破關鍵在於與ASML、材料供應商及完整圖形化生態系統密切合作，從CA
R材料、微影製程到蝕刻化學進行協同優化。透過驗證新型光阻材料與製程，並持續提升既有
CAR性能，可望為埃米世代先進製程建立更完整的技術與量產基礎。
