《科技》DRAM缺貨周期遠未結束 郭祚榮：恐燒至2028、價續漲不回頭
2026/09/14 11:52
【時報記者葉時安台北報導】AI浪潮席捲全球，帶動高頻寬記憶體(HBM)與伺服器相關記憶體
需求全面爆發，供應鏈缺貨疑慮持續升溫。前集邦科技資深研究副總郭祚榮於論壇演講中指
出，AI與伺服器應用大舉排擠常規記憶體產能，整體DRAM供需失衡短期難解，目前的缺貨周
期「遠未結束(Far from Over)」，預估整體市場最快要到2028年才有機會稍微回歸供需平衡
的原點。而在供給持續吃緊下，記憶體合約價格將延續上漲基調。
郭祚榮表示，終端應用呈現嚴重的兩極化發展。智慧型手機(Smartphone)與筆記型電腦(N
B)受到終端產品售價拉高影響，出貨動能疲弱，預估2026年出貨量分別年減14.5%與10.5%，
2027年亦持續年減5.1%與3.6%。然而，伺服器市場表現極其亮眼，2026年出貨預估年增17.0
%、2027年更將進一步增長22.8%。他直言，過去在研調機構近20年經驗中，伺服器出貨量若
能年增3%至4%就已屬相當強勁，如今達雙位數的高速成長，顯見市場對伺服器的拉貨力道極
為瘋狂。
在位元需求與單機搭載量方面，伺服器同樣扮演絕對火車頭。根據TrendForce最新統計，
伺服器DRAM平均搭載容量自2026年的986.4 GB預估躍升至2027年的1191.7 GB，年增幅達20.
8%，若單看AI伺服器，用量更已高達2000GB至3000GB。從全球位元供給分布來看，伺服器加
上HBM占全球位元供給的比重在2026年已逾五成，2027年伺服器占比約41.8%、HBM占11.8%，
兩者合計達53.6%；若再計入部分伺服器架構大量採用LPDDR5作為主記憶體，伺服器相關應用
實際已吞噬整體市場近六成產能。
郭祚榮強調，三大原廠將策略性資源全面轉移至高毛利DRAM與HBM，導致常規產品面臨嚴重
產能排擠，包括DDR4、DDR3乃至利基型記憶體均出現結構性缺貨。儘管台積電CoWoS先進封裝
擴產推進，但隨著AI晶片出貨量翻倍，對HBM等先進顆粒的消耗速度遠高於記憶體原廠產出位
元的年增率，產能追不上需求已成既成事實。
為化解產能瓶頸，供應商雖已積極展開新廠擴產與資本支出競賽，但短期對供給的實質挹
注有限。三大原廠在2025年因推進製程轉進，資本支出年增率已逾80%，2026年預估將再增長
46%。三星正加快平澤五廠(P5-1、P5-2)與龍仁園區新廠建置；SK海力士推進龍仁新廠；美光
則持續推進日本廣島新廠及台灣銅鑼新廠擴充；南亞科(2408)新廠預計2027年投產；陸系長
鑫存儲(CXMT)亦建置合肥與上海新廠。然而，新廠產能開出多落在2027至2028年以後，加上
合肥與上海擴產主要受限於設備管制與高階技術挑戰，產出多以內需去化為主，難以扭轉全
球供不應求的結構。
在後續價格展望部分，郭祚榮分析，DRAM供需滿足率(Sufficiency Ratio)在2026年與202
7年仍處於負值狀態，代表缺貨態勢難以逆轉，進一步支撐價格維持上漲格局。回顧報價走勢
，在經歷上半年劇烈跳升後，自第四季起單季漲幅將逐步收斂至個位數，但報價「繼續漲、
不會停」的趨勢明確，預期一路漲至明年各季度，全年漲幅仍上看二至三成，供應鏈缺貨與
漲價風暴將持續籠罩產業。
