《熱門族群》美光展望超預期 台系記憶體族群全線起飛
2025/12/18 10:50
【時報記者葉時安台北報導】Micron(MU US)財報、財測優於預期，其中AI驅動需求下的結構
性供不應求，供需缺口將延續至2026年以後，DRAM與NAND皆處於長期緊張狀態，美光股價盤
後大漲，推升台系記憶體族群。華邦電(2344)以及處置至12月19日的南亞科(2408)雙雙上漲
約4%，華邦電衝上77.8元，再度改寫25年新高價；南亞科同樣衝上171元，瞄準178.5元歷史
新高價。記憶體封測廠華東(8110)遭處置至115年1月2日，股價翻紅衝漲3%，同樣放眼59.5元
歷史新高價；福懋科(8131)、華泰(2329)、南茂(8150)等同樣起風。
Micron美光2026財年第一季(2025年9月至2025年11月)財報優於預期，受惠生成式人工智慧
(Generative AI)成長，GPU和ASIC為支持AI伺服器的核心，而記憶體是其重要的零組件。由
於記憶體供需吃緊，美光總營收、DRAM和NAND營收，以及HBM和數據中心營收，以及各業務部
門的營收都達到新高。美光單季營收為136.43億美元，季增20.57%，優於公司122~128億美元
，亦優於市場預估128~129億美元。
美光展望2026財年第二季提供歷史新高的指引，預期單季營收為187億美元正負4億美元，
反映DRAM與NAND需求明顯高於供給的市場結構。毛利率預估達68%，在價格持續上行、成本下
降與產品組合進一步優化的帶動下，預期將再創新高。營業費用預估約13.8億美元；單季EP
S指引為8.42美元。
美光並指出，2026財年資本支出預估從180億美元上修至200億美元，並將集中於下半年，
主要用於支援HBM與1-gamma DRAM產能，以因應長期AI需求與供給受限的產業環境。此外，新
廠啟用的啟動成本將在2026才年下半年至2027財年開始反映，但相對於目前營收規模，對整
體毛利影響有限。
至於記憶體市況，美光認為，AI已使記憶體從系統元件轉為決定效能的策略性資產，資料
中心、邊緣與車用需求同步提升，整體需求和供給的因素正在使得DRAM、NAND產業吃緊，估
計此現象將延續到整個並超越2026，DRAM與NAND皆處於長期緊張狀態，美光本身現正在很努
力地提供客戶需求，估計公司2026的DRAM、NAND位元出貨增長約20%，DRAM與NAND毛利率仍有
上行空間，但由於基期已高，改善幅度將較近期趨緩。
HBM方面，美光Micron表示，2026年HBM供應量已全數售罄，且價格與數量皆已完成談判並
鎖定。HBM具備強勁獲利能力，且公司在ROI管理上保持高度紀律，非HBM業務同樣維持健康獲
利結構。美光強調，其HBM4具備超過11Gbps的業界領先速度，並延續HBM3E約30%的低功耗優
勢，公司對HBM4及後續產品路線圖充滿信心，並認為在效能、功耗與產能配置上均具競爭優
勢。而HBM4將於2026年第二季開始量產，且預期其良率爬升速度將快於HBM3E。
美光財報優於預期，財測展望同樣樂觀，使得美光盤後股價強漲。AI需求大幅增加，帶動
DRAM和NAND Flash價格上揚，在供給吃緊，報價持續上揚下，記憶體晶圓廠將是受惠最大。
因此本土法人評估投資首選以南亞科(2408)和華邦電(2344)為主。
據TrendForce，受惠AI需求，HBM成為帶動DRAM產業驅動的重點，今年第四季進入以價補量
階段，原廠庫存普遍見底，出貨位元季增幅收斂，但合約價格快速上升。預估單季一般型DR
AM合約價季增45~50%，若納入HBM，整體合約價漲幅達50~55%。
展望2026年DRAM和NAND Flash都正面看。DRAM持續供不應求，價格在2026年會繼續往上漲
，預期DDR5價格走勢比DDR4強，DDR5市場需求增加。2026年DRAM三大廠DDR4陸續EOL，產出減
少，預估DRAM供給與需求位元成長皆10~20%，且需求大於供給。長江存儲可能跨入DRAM，未
來1~2年對供需影響不大。NAND受AI推論需求帶動，也相對樂觀預估明年第一季季增10%以上
。
Micron對2026年的展望非常樂觀，主要受到AI驅動的記憶體需求大幅增長以及其在HBM的領
先地位所推動。在供給吃緊，報價持續上揚下，記憶體晶圓廠將是受惠最大，晶圓廠可調配
產能至毛利率較好的產品，生產成本和擴充產能折舊控制得宜下，毛利率將會隨報價上揚。
模組廠則開始面臨拿不到顆粒，成本也開始逐步往上，毛利率大幅再向上有限。雖然台廠未
直接切入HBM，但在全球供給受限下，可承接標準型和利基型DRAM訂單，報價和稼動率同步上
揚。
