《熱門族群》DRAM雙雄漲停後震盪 華邦電獲土洋法人齊讚
2025/09/08 12:06
【時報記者葉時安台北報導】國際半導體展本周登場，DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(234
4)晨盤持續衝上漲停，隨後打開漲幅收斂，多空交織下，成交量再登成交量冠亞軍。市場專
注AI成長動能，利基記憶體(DDR4+SLC NAND+NOR)供應商被忽視，但記憶體價格飆漲，推升營
運表現，華邦電等相關記憶體股價上攻，華邦電連三季虧損，美系外資評估，華邦電第四季
有機會實現轉盈，並重申首選(Top Pick)，投資評等為Overweight(增持)，目標價給予30元
。本土法人也認為，DDR3/DDR4價格走揚，帶動業績回升，因此調升評等至買進(Buy)，目標
價至26.45元。
華邦電可望持續受益於DDR4強勢，未來三個季度將出現10-15%的供應不足，美系外資認為
價格漲幅的趨勢可能比先前的預期更陡峭，評估主流DRAM供應商開始與核心客戶簽訂戰略合
同，價格比華邦電早期在第三季的定價高出200%，且留意到伺服器DDR的產品組合和消費者需
求可能被低估。整體而言，外資認為，華邦電DDR4將很快顯示出高雙位數的價格漲幅。
SLC NAND價格上，過去幾年SLC NAND的供需穩健，儘管如此，市場注意到主要供應商(Kio
xia、Hynix、Micron)在2025年均減少供應。三星在第三季也減少MLC NAND的供應。假設需求
穩定，供應的減少可能意味著十位數的供應不足，藉此推升價格可望上漲到十位數，從本月
開始將顯著走揚。
NOR Flash價格上，考慮到後端成本的上升，NOR Flash價漲似乎是不可避免的，美系外資
繼續認為，中國供應商在第三季的價格上漲可能會引發華邦電在第四季上漲5-10%，且評估這
幅度較先前預估更大，可持續時間亦更長。這是由於材料成本上漲和後端產能支撐的影響。
華邦電預計2025年資本支出48億元(cash base)，年減69.03%，其中生產設備資本支出約占
70%，部分用於高雄廠設備尾款，聚焦25nm與20nm製程的NOR Flash與利基型DRAM產品，CMS
16nm製程如期開發中，進入試產前準備，NAND Flash 24nm製程開始小量出貨，CUBE預計明年
下半年有營收貢獻，2028年預期占CMS營收40-50%。台中廠Flash產能2026年擴增20%，SLC N
AND產能增幅更高。數位轉型提升效率，五年節省800人力、提升機器生產力10%、每年省2億
元費用，今年上半年資本支出為25億元。華邦電今年下半年產能利用率可回到接近滿載水準
。
