《科技》記憶體產業明年資本支出略保守 位元產出成長挹注有限
2025/11/13 14:49
【時報記者葉時安台北報導】根據TrendForce調查顯示，隨著記憶體平均銷售價格(ASP)持續
提升，供應商獲利也有所增加之下，DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續上漲，但對
於2026年的位元產出成長的挹注有限。DRAM和NAND Flash產業的投資重心正逐漸轉變，從單
純地擴充產能，轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。
DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537億美元，預計在2026年進一步成長至613億美
元，年增率達14%。NAND Flash部分，資本支出在2025年預計為211億美元，2026年預計小幅
增長至222億美元，年增約5%。
在DRAM各供應商中，Micron美光被認為是最積極的廠商，其2026年資本支出預計達135億美
元，年增23%，主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置。SK hynix海力士的增幅也十分顯
著，2026年預計為205億美元，年增17%，以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung三星預計投入
200億美元，年增11%，用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。
TrendForce指出，目前在無塵室空間也有不足供應的情況，檢視所有DRAM供應商的產能空
間，僅有Samsung與SK hynix仍有小幅擴大產線的機會，而Micron則需要等待其美?ID1新廠落
成，最快2027年才能有產出，因此任何後續上修的資本支出對2026的位元產出貢獻皆非常有
限。
而在NAND Flash各供應商中，Kioxia/SanDisk和YMTC因沒有DRAM業務，被認為是最積極擴
大產能以鞏固地位的廠商。Kioxia/SanDisk預計投入45億美元，年增41%，加速BiCS8生產並
投資BiCS9研發。Micron美光2026年目標是微幅增加NAND Flash產能並專注於G9製程和enter
prise SSD業務，預計資本支出年增幅達63%。相較之下，Samsung和SK Hynix/Solidigm則將
縮減或限制NAND Flash資本支出，優先將投資轉向HBM和DRAM領域。
TrendForce分析，此次NAND Flash產業需求的爆發，主要受AI對儲存容量需求的急速攀升
，以及HDD供應不足導致雲端服務供應商(CSP)轉單所帶動。此現象屬於結構性短缺，而非短
暫的市場波動。
然而，過去數年產業經歷多次景氣循環，使部分廠商在資本支出與擴產策略上趨於保守。
隨著2026年資本支出重心放在製程升級和導入hybrid-bonding而非擴產，將導致供應位元增
幅有限，TrendForce認為，NAND Flash市場的供不應求狀態預計將延續2026年全年。
